[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19p-P11-14] Ga₂O₃薄膜の室温下レーザー照射固相エピタキシーにおける膜厚や緩衝層の影響

〇(B)森田 公之¹、中村 稀星¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.豊島製作所、3.神奈川県産総研)

キーワード：ワイドギャップ、半導体、エピタキシー

ELAプロセスを用いたβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の低温合成において、膜厚や緩衝層—薄膜界面など前駆体状態は、レーザー吸収や核形成といった固相結晶化過程に重要である。本研究では、ELAプロセスによるβ-Ga₂O₃の低温・室温固相エピタキシーと前駆体薄膜との相関を明らかにすることを目的として、膜厚や緩衝層がβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の結晶性・配向性など構造や電子・光学特性などにおよぼす影響について検討した。