[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-16] m 面sapphire 基板上に作製したalpha-Ga2O3 薄膜のTEM 観察

〇赤岩 和明¹、太田 勝也¹、関山 尊仁¹、阿部 友紀¹、四戸 孝²、市野 邦男¹ (1.鳥取大学、2.FLOSFIA)

キーワード：酸化ガリウム、TEM解析