[20a-D103-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-D103-3] マルチエピタキシャル型SiC SJ ダイオードの電気特性のプロセス依存性

〇(M2)原田 穣¹、森本 忠雄²、原田 信介²、岩室 憲幸¹ (1.筑波大、2.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、スーパージャンクション

Si SJ-MOSFETの作製方法であるマルチエピタキシャル法をSiCに適用した。現在主流である高温イオン注入プロセスを低温化できればプロセスの簡略化かつ短期化が見込まれる。低温イオン注入を用いたマルチエピタキシャル法によるSiC SJ-MOSFETの実現を検討するため作製プロセスの温度条件を振って作製した。作製したSiC SJ-pn ダイオードの逆方向電圧印加時の電圧-電流特性を評価した。