[19p-E310-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-E310-6] 気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス

〇秩父 重英¹、小島 一信¹、羽豆 耕治¹、石川 陽一¹、古澤 健太郎¹、三田 清二²、Collazo Ramon³、Sitar Zlatko³、上殿 明良⁴ (1.東北大多元研、2.Adroit Materials、3.NC State Univ.、4.筑波大数物)

キーワード：窒化物半導体、AlN、時間分解カソードルミネッセンス

分極電界起因の量子閉じ込めシュタクル効果の影響を受けにくく、発光の電界成分がc軸に平行となる場合でも表面から光を取り出しやすい、気相輸送(PVT)成長m面自立AlN基板およびその基板上にMOVPE成長させたホモエピ薄膜の面内偏光特性および発光ダイナミクスについて報告する。