[20p-E312-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

[20p-E312-12] {111}ダイヤモンドにおけるホウ素取り込みの基板オフ角依存性

〇(PC)嶋岡 毅紘¹、市川 公善¹、小泉 聡¹ (1.物材機構)

キーワード：ドーピング、ホモエピタキシャル成長

{111}ダイヤモンドのホウ素取り込みの基板オフ角依存性を調査した。オフ角0－5度の5つの領域を持つ基板上にホウ素ドープダイヤモンドをホモエピタキシャル成長し、ホウ素濃度と成長速度を評価した。成長速度はオフ角低下とともに300nm/hから70nm/hに減少した。エピ層中のホウ素濃度はオフ角低下に伴いおよそ2×10¹⁸ cm^-3から8×10¹⁸ cm^-3と最大で3倍程度増加した。