[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-2] パルスレーザによるGaNにイオン注入したMgアクセプターの活性化

〇宮嶋 孝夫¹、山田 祐輔¹、市川 貴登¹、今井 大地¹、鮫島 俊之² (1.名城大理工、2.農工大工)

キーワード：窒化物系半導体、イオン注入、レーザアニール

Mgをイオン注入したGaNの表面にSiN_xまたはAlN保護膜を形成した上に、パルスレーザを照射することでMgアクセプターの活性化を試みた。1200℃1分間の熱アニール処理後のGaNの表面は、アニール処理前の表面状態を大きく低下させないことを確認した。更に、低温CLスペクトルには、ドナー・アクセプター遷移発光が明瞭に観察され、Mgアクセプターが活性化されることが分かった。