[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [10p-Z23-13] 酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO₂界面 の形成

〇(D)立木 馨大¹、金子 光顕¹、小林 拓真¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：SiC, MOSFET

SiC/SiO₂界面準位の低減のため、様々な熱処理が用いられているが、熱処理前の絶縁膜の堆積方法が界面準位に与える影響はあまり調べられていない。本研究は、熱処理前に酸化を徹底的に排除したプロセスを用いてSiC/SiO₂界面を形成することで、極めて低い界面準位を達成したので報告する。