[13a-B401-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [13a-B401-4] SiO₂/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成の理解

〇溝端 秀聡¹、和田 悠平¹、加賀 三志郎¹、野﨑 幹人¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：GaN、MOS、半導体

我々は，SiO₂/GaN MOS構造に水素ガスアニール（Forming Gas Annealing: FGA）を施すと，フラットバンド電圧（V_FB）が負バイアス側へ大きくシフトすることを以前報告しているが，その物理的起源についてはわかっていない。そこで本研究では，FGA を施したGaN MOS 構造中の固定電荷分布を評価するとともに，大気中での電極形成後熱処理（PMA）の効果についても検証した。