[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-A302-14] GaN層の表面汚染に関する検討(Ⅳ)

〇水野 愛¹、福田 直樹¹、岩元 正紀¹、長田 拓也¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：GaN層、X線光電子分光法、表面汚染

我々は，GaN層の大気暴露に伴うSi系化合物の表面汚染について検討を進めてきた．今回，GaN層の作製条件を変化させ，得られたGaN層の特性とSi系化合物の吸着量の関係について検討を行った．