GE BEIBEI

発表者・著者、共著者

2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:30 N102 (口頭)

一般セッション(口頭講演)
| 8 プラズマエレクトロニクス
| 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12p-N102-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

16:30 〜 16:45

▲ [12p-N102-12] Low Temperature and High-Quality Neutral Beam Enhanced Atomic Layer Deposition of Hafnium Dioxide

〇(M2C)GE BEIBEI¹、Daisuke Ohori¹、Hua Hsuan Chen³、Takuya Ozaki¹、Kazuhiko Endo⁴、Seiji Samukawa^1,2,3 (1.IFS, Tohoku Univ.、2.AIMR, Tohoku Univ、3.NYCU、4.AIST)

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