[11p-N304-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-N304-5] ミュオンによる二酸化バナジウム中の水素シミュレーション

〇岡部 博孝¹、平石 雅俊¹、幸田 章宏^1,2、大澤 健男³、大橋 直樹³、門野 良典^1,2 (1.KEK物構研、2.総研大、3.物材機構)

キーワード：ミュオンスピン回転緩和法、水素、抵抗変化メモリ

ミュオンスピン回転緩和法を用いて，VO₂中の水素の電子状態をシミュレートした．VO₂の電子状態が本質的に不均一であること，200K以上で水素が高速に拡散し得ることを見出した．