[12a-N307-1~11] 17.3 層状物質

△ [12a-N307-11] クラウンエーテル錯体による単層MoS₂への高安定な電子ドープ

〇(DC)小倉 宏斗¹、金田 賢彦¹、中西 勇介¹、野々口 斐之²、蒲 江³、大淵 真理⁴、入沢 寿史⁵、林 宏恩¹、遠藤 尚彦¹、柳 和宏¹、竹延 大志³、宮田 耕充¹ (1.都立大理、2.京都工繊大工芸、3.名大工、4.富士通研、5.産総研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、化学ドーピング、クラウンエーテル錯体

原子層半導体である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は、その二次元構造に由来する特異な物性やデバイス応用の観点から注目を集めている。TMDCの電気伝導特性の制御に向け、化学ドープによる電荷移動は有効な手法として研究されてきた。本研究では、クラウンエーテル錯体を用いることで、単層MoS₂に対し、従来の手法を超える非常に安定かつ高濃度な電子ドープを実現した。