[21a-P06-1~4] 1.6 超音波

[21a-P06-4] SAWデバイスに向けたc軸傾斜配向ScAlN薄膜/Si基板構造の作製

〇冨永 卓海¹、高柳 真司¹、柳谷 隆彦² (1.同志社大、2.早稲田大)

キーワード：ScAlN薄膜、SAW、スパッタ成膜

ScAlN膜は巨大な圧電性から弾性波デバイス応用が期待されている。SAWデバイスでは、高い電気機械結合係数K²をもつScAlN膜/高音速基板構造が提案されたが、コスト面で課題が多い。一方、Si基板は比較的廉価で集積回路に広く用いられる。また、我々は以前、ZnOやAlN等の6mm圧電結晶におけるc軸傾斜がK²の増大に寄与することを示した。本報告ではc軸傾斜配向ScAlN膜とSi基板を組み合わせた高結合なSAWデバイスを提案し、その作製方法を紹介する。