[22a-P08-1~11] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[22a-P08-6] Si含有DLC成膜用テトラメチルシランプラズマにおける基板への入射ラジカルおよびイオンのガス流量依存性の計測

〇石井 晃一¹、佐々木 瞬¹、神山 真央¹、小田 昭紀¹、渡邉 泰章²、上坂 裕之³、太田 貴之⁴ (1.千葉工大工、2.イノベーションサイエンス、3.岐阜大工、4.名城大理工)

キーワード：ダイヤモンドライクカーボン、プラズマ支援CVD、テトラメチルシラン

Si含有DLC(Diamond-Like Carbon)膜は通常のDLC膜よりも摩擦係数が低いため自動車のしゅう動部品等に用いられている。本成膜時には, テトラメチルシラン(TMS)ガスを用いたプラズマ支援CVD法が主に用いられている。その際, ガス流量を高くすることで膜中のSi含有率の増加が報告されている。そこで本研究では，Heガスで希釈されたTMSプラズマの電極への入射ラジカル量およびイオン量を計測したのでその結果について報告する。