14:15 〜 14:30 △ [19p-Z02-4] Si酸化膜中へのホットダブルSi⁺/C⁺イオン注入法によるSiC量子ドット形成:Si+ドーズ量依存性 〇村川 洸紀1、金澤 力斗1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大理、2.東京農工大工)
14:30 〜 14:45 [19p-Z02-5] ホットSi+イオン注入法を用いた酸化膜中のSi量子ドットの形成 吉水 一真1、〇村川 洸紀1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大理、2.東京農工大工)