2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-Z33-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年3月16日(火) 09:00 〜 12:00 Z33 (Z33)

島 久(産総研)、福地 厚(北大)

11:00 〜 11:15

[16a-Z33-7] 二層型MoOx/Al2O3 CBRAM中のCu移動のTEMその場観察

有田 正志1、石川 竜介1、福地 厚1、高橋 庸夫1 (1.北大情報)

キーワード:抵抗変化メモリ、TEMその場観察、二層型CBRAM

本研究では、Cu上部電極、TiN下部電極に挟まれたMoOx/Al2O3構造の二層CBRAMに対してTEMその場観察実験(in-situ TEM)を行い、デバイス中のCuの移動、およびAl2O3層の役割について調べた。