[17a-Z24-1~9] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[17a-Z24-1] IL-CBRAMの金属イオン添加によるFading特性制御

〇佐藤 暖¹、佐藤 洋士^1,2、松尾 拓真¹、本間 祐晟²、島 久²、内藤 泰久²、秋永 広幸²、伊藤 敏幸³、木下 健太郎¹ (1.東理大理、2.産総研、3.豊田理研)

キーワード：イオン液体、AI、CBRAM

これまで, メモリ層にイオン液体 (IL)を添加した導電性ブリッジメモリ (CBRAM)である, IL-CBRAMについてその電気特性を報告してきた. 生体ニューロンに類似した固液融合デバイスであり, AIデバイス利用に向けて抵抗緩和 (Fading)特性の制御が課題となっている. 今回, ILに添加する金属イオンの価数を変化させることで, デバイス内部の金属の均等化反応が制御され, Fading特性のコントロールが可能になることを示した.