[17p-Z28-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-Z28-11] InAs/GaAs 近接三重層量子ドットレーザの作製と評価

〇ZHAN WENBO¹、權 晋寛¹、井本 隆哉¹、岩本 敏^1,2,3、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.東大先端研)

キーワード：近接三重層量子ドット、分子線エピタキシー、量子ドットレーザ

量子ドットレーザの長波長化に向けて、メタモルフィック層による基板の結晶格子定数の制御の他、量子ドットの近接積層化などの新構造の導入も検討されている。我々は、更なる長波長化を目指して近接多重層量子ドットを提案し、実際に近接三重層量子ドットにおいて PL 波長が長波長にシフトすることを確認した。今回、この InAs/GaAs 近接三重層量子ドットを活性層とするレーザを作製し、E バンドでの室温連続発振を実現したので報告する。