[18p-Z04-1~9] 特異構造の結晶科学　～学術とエレクトロニクス展開～

[18p-Z04-4] 酸化物半導体結晶Ga₂O₃およびIn₂O₃の準安定相発現機構の検討

〇熊谷 義直¹、後藤 健¹、富樫 理恵²、山口 智広³、村上 尚¹ (1.東京農工大工、2.上智大理工、3.工学院大先進工)

キーワード：酸化物半導体、Ga2O3、準安定相

次世代パワーデバイス材料である酸化物半導体結晶III₂O₃（III = Al, Ga, In）には、種々の多形が存在する。Ga₂O₃では安定相のβ相、準安定相のα相でデバイスが作製されている。本発表では、HVPE法およびMist-CVD法を用い、α-Al₂O₃およびβ-Ga₂O₃単結晶基板上にGa₂O₃およびIn₂O₃成長を実施し、準安定相発現のキーパラメータ解明を試みた結果を報告する。