[19a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19a-Z27-5] ナノビームX線回折法によるNPSS上AlN厚膜の深さ分解結晶性トモグラフィック評価

〇山本 望¹、林 侑介¹、濱地 威明¹、中西 悠太¹、藤平 哲也¹、隅谷 和嗣²、今井 康彦²、木村 滋²、正直 花奈子³、三宅 秀人^3,4、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.JASRI、3.三重大院工、4.三重大院地域イノベ)

キーワード：窒化アルミニウム、ナノビームX線回折法、ナノパターン加工サファイア基板

深紫外LEDは、AlNの結晶性や光取り出し効率（LEE）が課題である。先行研究では、ナノパターン加工サファイア基板（NPSS）によるLEE向上を目的として、スパッタ成長（sp-AlN）とface-to-faceアニール（FFA）を組み合わせたAlNテンプレートが作製され、高い結晶性が得られている。一方で、形成されたボイドが結晶性や歪に与える影響は十分に解析されていない。本研究では、放射光施設SPring-8のナノビームX線回折光学系において深さ分解結晶評価手法を用いることで、sp-AlN+FFA/NPSS上AlNに特有な3次元構造変化を測定することに初めて成功した。