[19a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [19a-Z27-4] Void design for stress relaxation in nitride semiconductor films on Si substrates

〇Tomonori Oku¹, Takeshi Momose¹, Yukihiro Shimogaki¹, Momoko Deura¹ (1.The univ. of Tokyo)

Keywords:Internal stress calculation, GaN, Si substrate

窒化物半導体成長用基板としてSiが注目されているが，両者の格子定数差や熱膨張係数差に起因して成長中や冷却中に内部応力が発生することにより，基板の反りが発生しやすいことが知られている．内部応力低減手法の1つにボイドの導入があり，我々がこれまでに行ってきたSiC/Si上へのGaN製膜中にもボイドが導入されることが確認されている．本研究では有限要素法計算を用いて内部応力緩和に向けたSiC/Si界面・GaN/SiC界面のボイドの設計を行った．