[23a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23a-E202-7] マイクロLEDディスプレイのアクティブマトリクス用HEMT

〇古沢 優太¹、Cai Wentao²、Park Jeonghwan²、Cheong Heajeong^2,3、牛田 泰久¹、天野 浩^1,3,4 (1.名大未来研、2.名大院工、3.名大VBL、4.名大赤﨑記念研究センター)

キーワード：Ⅲ族窒化物半導体、マイクロLED、HEMT

アクティブ動作のマイクロLEDディスプレイにはLEDを発光させるドライバが必要である。Ⅲ族窒化物半導体はLEDとともに高電子移動度トランジスタも同時に作成可能である。そこで我々は再成長を行わずに一回でLEDとHEMTを集積化することを試みた。アンドープGaN上には２次元電子ガスの発生を確認し、多重量子井戸、pGaNを成長することで青色発光を観測した。HEMTを同一基板上にプロセスのみによって作成し、ノーマリオンのHEMT動作を確認した。