[23a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [23a-E202-8] ICP etching method for fabricating monolithic Micro LED arrays with high verticality and aspect ratio

〇(M1)Yuta Imaizumi¹, Mark Polzin¹, Tsuyoshi Nagasawa¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:Nitride Semiconductor, Micro LED arrays, ICP etching

Micro LEDアレイは液晶、有機ELに次ぐ次世代型高精細・高臨場感ディスプレイとして注目されている。しかし高精細化のためには垂直性が高く且つエッチング深さが深いエッチング技術の開発が必要である。そこで、本実験ではNiとGaNの間にSiO2を全面に蒸着させマスクとして用いることによってよりエッチングの選択比をより高くする方法を検討し、CF4ガスとCl2ガスを用いてGaNを幅1μm、深さ5μmをエッチングを行った。エッチング面をSEMで評価を行った。