[26a-P04-1~17] 12.1 作製・構造制御

[26a-P04-16] 管状炉を用いた熱 CVD 法による酸化チタンナノチューブアレイ/窒化炭素複合体の構造制御

〇(B)米山 翔¹、柵木 光¹、野田 啓¹ (1.慶應理工)

キーワード：光触媒、窒化炭素

我々は、高い光酸化力を持つ酸化チタンナノチューブアレイ(TNA)と高い光還元力を持つ高分子n型半導体であるグラファイト状窒化炭素(g-C₃N₄)に注目し、管状炉を用いた熱化学気相成長法(CVD)法によるTNA/g-C₃N₄ナノ複合体の構造制御を試みた。TNA表面に堆積したg-C₃N₄の合成は、TNA基板を配置する向きによって違いが生じた。前駆体分子の輸送/供給方向の違いがg-C₃N₄の合成及び堆積様式に影響を及ぼす可能性がある。