09:45 〜 10:00 [17a-A301-4] (AlxGa1-x)2O3バックバリアを用いた横型Ga2O3 MOSFETの高周波特性 〇大槻 匠1、上村 崇史1、東脇 正高1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)