09:45 〜 10:00 [18a-A301-4] 表面にAl導入したGaN-MOSFETの特性 〇上野 勝典1、近藤 剣1、田中 亮1、高島 信也1、江戸 雅晴1、諏訪 智之2 (1.富士電機(株)、2.東北大NICHe)