[16p-A301-7~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-A301-12] レーザードーピングによる低抵抗4H-SiCｎ型層の形成

〇妹川 要¹、納富 良一¹、宇佐見 康継¹ (1.ギガフォトン（株）)

キーワード：レーザードーピング、炭化珪素、拡散メカニズム

SiCパワーデバイスの低オン抵抗動作の為にはより低い抵抗層が要望されるが、高濃度の窒素(N)ドーピングを実施すると多数の積層欠陥(SFs)が生成し劣化する課題が知られている。その課題の解決手法の一つとしてレーザーによる拡散層形成（レーザードーピング）も有効と考えられる。
我々は前回に引き続きレーザードーピングによる拡散メカニズムを明確にする目的で高濃度窒素拡散層のシート抵抗について調査したので報告する。