2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-A301-7~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月16日(木) 16:00 〜 17:30 A301 (6号館)

朽木 克博(豊田中研)

17:00 〜 17:15

[16p-A301-11] 4H-SiC(0001)へのAlチャネリングイオン注入に対する電子阻止断面積の再評価

望月 和浩1、西村 智朗1、三島 友義1 (1.法政大)

キーワード:炭化珪素、アルミニウム、電子阻止断面積