[16p-A301-7~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[16p-A301-10] Angular detection for channeling ion implantation by polarized light

Takumi Maruhashi¹, Hisaya Sato¹, Yoshiyuki Yonezawa², 〇Masashi Kato¹ (1.NITech, 2.AIST)

Keywords:SiC, ion implantation, channeling

SiCや GaNなどパワー半導体素子の作製においてチャネリング現象を利用したイオン注入は、低エネルギーで試料内部まで 深くイオンを 注入 させることができるため注目されている。本研究では、チャネリングイオン注入に必要な角度検出を、高速かつ安価な方法である光学的手法により行った。