[17p-B401-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-B401-7] スパッタアニールAlNテンプレート上AlGaN薄膜の局在発光特性の評価

〇市川 修平^1,2、上杉 謙次郎^3,4、齊藤 一輝¹、肖 世玉⁵、正直 花奈子^1,5、中村 孝夫^5,6、毎田 修¹、三宅 秀人⁵、小島 一信¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.三重大共創機構、4.三重大院地域イノベ、5.三重大院工、6.東大生研)

キーワード：AlGaN、AlN、UV-LED

AlGaN系半導体を用いた、波長220~230 nm付近のUV-LEDは、殺菌用光源として近年高い注目を集めている。とくに、RFスパッタ成膜とface-to-face高温アニールを組み合わせたAlNテンプレート(FFA Sp-AlN)上へのAlGaN成長技術は、サファイア基板上に極めて低転位密度の高品質膜を実現できることから、短波長UV-LEDの高効率化にむけて期待が寄せられている。そのため、FFA Sp-AlNテンプレート上Al-rich AlGaN層の発光挙動の解明は、重要な研究課題である。本研究では、FFA Sp-AlN上のAlGaN層に特有の、微細な表面モフォロジーに起因した局在発光現象を観察・評価したので報告する。