[2N10-16] 材料・デバイス分析

[2N10] 重金属イオンビームで照射したポリカーボネートの導電率のフルエンス依存性

*岩岡 恭平¹、藤田 尚希¹、谷池 晃¹、古山 雄一¹ (1.神戸大学)

キーワード：加速器、イオンビーム、導電性、ポリカーボネート

加速器を用いて生成した重金属イオンビームでポリカーボネートを照射することで導電性を導入している．そして，フルエンス10¹⁵～10¹⁸ cm^-2 の範囲で導電率のフルエンス依存性を調べた．その結果，500keVの銅イオンビーム照射ではフルエンスの増加に伴い導電率が上昇し，5×10¹⁷ cm^-2 付近で導電率が約2000 S/m となった．