2017年秋の大会

講演情報

一般セッション

IV. 核燃料サイクルと材料 » 402-1 炉材料とその照射挙動

[2I08-17] SiC

2017年9月14日(木) 14:45 〜 17:25 I会場 (C棟 C310講義室)

座長:岸本 弘立 (室蘭工大)

17:00 〜 17:15

[2I17] SiC高温水腐食へ及ぼす照射欠陥の影響

*近藤 創介1、前田 有輝2、深見 一弘2、檜木 達也1 (1. 京都大学エネルギー理工学研究所、2. 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻)

キーワード:炭化ケイ素、高温水腐食、半導体、照射欠陥

高温高圧水中でのSiCの腐食に及ぼす照射欠陥の影響を、イオン、電子線照射した高純度SiCを対象とした電気化学挙動および材料中の欠陥準位の相関評価により検討した成果を発表する。