2019年秋の大会

講演情報

一般セッション

III. 核分裂工学 » 305-1 計算科学技術

[1K01-05] 微視的解析

2019年9月11日(水) 14:45 〜 16:10 K会場 (共通教育棟 2F E21)

座長:杉野 和輝(JAEA)

15:00 〜 15:15

[1K02] MD法を用いた高エネルギー中性子照射下における欠陥形成過程の解明

*寺山 怜志1、岩瀬 祐樹1、早川 頌1、沖田 泰良1、板倉 充洋2 (1. 東大、2. JAEA)

キーワード:カスケード損傷、面心立方金属、積層欠陥エネルギー

面心立方金属を対象に、高エネルギー中性子照射下での結晶欠陥集合体形成に及ぼす積層欠陥エネルギー(SFE)の影響を分子動力学法により定量化した。SFEは欠陥集合体の形態に影響を及ぼし、その影響はより大きな欠陥集合体で顕著になることが明らかとなった。