[1M07-12] 量子ビーム利用

[1M11] 軟X線自由電子レーザーによるレジスト材料照射に関する研究

*岡本 一将¹、河合 俊平²、堀 成生²、井狩 優太¹、誉田 明宏¹、古澤 孝弘¹、錦野 将元³、石野 雅彦³、Thanh-Hung Dinh³、木下 博雄⁴ (1. 阪大、2. 北大、3. QST、4. 兵庫県立大)

キーワード：Ｘ線自由電子レーザー、レジスト材料、EUVリソグラフィ

次世代の半導体量産用リソグラフィ光源である極端紫外線(EUV)の高出力化のため、加速器ベースの自由電子レーザー（FEL）の開発が検討されている。しかしながら、高フラックス光源の照射がレジスト材料の感度や耐性に与える影響はほとんど明らかになっていない。そのため、SACLAの軟Ｘ線FELを用いてレジスト材料の感度と耐性に与える影響について調べた。