[3K07-10] 耐放射線技術

[3K07] 耐放射線化技術の開発

(1)放射線耐性2 MGyを上回る4H-SiC CMOSオペアンプの開発

*増永 昌弘¹、桑名 亮¹、原 勲¹、浅野 保² (1. 日立、2. 日立GE)

キーワード：原子力計装、耐放射線、炭化ケイ素、相補型MOS、オペアンプ、ガンマ線、蓄積効果

原子力発電プラントで使用される計測器の更なる高信頼化のため、炭化ケイ素(SiC)の相補型MOS(CMOS)を用いて放射線耐性2 MGyを上回るオペアンプを開発した。開発したCMOSは2つの特徴を備える。1つは8 nmと薄いゲート絶縁膜で、蓄積効果によるしきい値電圧変動を低減した。もう1つはSiC界面の窒化処理で、γ線によるMOS界面の移動度劣化を抑制した。本CMOSで構成されたオペアンプは、2 MGyを超えてもオフセット電圧が3 mV以下で安定して動作した。