[3K07-10] Radiation Redistant Technology

[3K08] Development of radiation resistant technology

(2)Radiation Resistance Evaluation of Pressure Transmitter using SiC Op-amp

*Ryo Kuwana¹, Masahiro Masunaga¹, Keizou Egawa³, Isao Hara¹, Hideyuki Henmi³, Tamotsu Asano² (1. Hitachi, 2. HGNE, 3. Hitachi High-Tech Sol.)

Keywords:Nuclear instrumentation, Pressure Transmitter, Radiation resistant, SiC, Operational amplifier

原子力発電プラント内で使用される計測器の更なる高信頼化のために、耐放射線化技術を開発中。比較的高放射線環境下で使用される計測器は、耐放射線性の高いアナログ回路を用いるが、それでも集積回路であるオペアンプは積算0.3kGyで仕様範囲を逸脱してしまう(原子力学会2018春の大会で報告済)。対策として、オペアンプの材料を、ケイ素(Si)から耐放射線性に優れる炭化ケイ素(SiC)に変更することを検討した。開発したSiCオペアンプを搭載した圧力伝送器を試作し、γ線照射試験を実施したところ、従来品を大幅に超える423kGyの耐放射線性を確認した。