[3N08-13] プラズマ対向材料

[3N08] 高温・高照射量で中性子照射されたタングステンの水素同位体吸蔵特性

*大宅 諒¹、Shimada Masashi²、 Chase N. Taylor²、小林 真³、信太 祐二⁴、山内 有二⁴、孫 飛⁵、大矢 恭久⁵、上田 良夫⁶、波多野 雄治⁷ (1. 九大、2. アイダホ国立研究所、3. 核融合研、4. 北大、5. 静岡大、6. 阪大、7. 富山大)

キーワード：タングステン、中性子照射、水素同位体吸蔵

プラズマ対向壁であるタングステン（W）は、核融合炉運転中に中性子の照射を受ける。これまで、日米科学技術協力事業（TITAN, PHENIX, FRONTIER）において、中性子照射によりW中の水素同位体吸蔵量が増加することが報告されている。本研究では、ITERダイバータ環境を想定した条件として、高い照射量かつ1000K以上の高温での中性子照射を行い、その条件がW中の水素同位体吸蔵特性に与える影響を調べた。
　本研究では、オークリッジ国立研究所の高中性子束同位体生産炉HFIRにおいて、熱中性子遮蔽環境下で、照射量0.3~0.7dpa、試料温度900K/1050K/1300Kで中性子照射を行った。中性子照射後のW試料について、アイダホ国立研究所のトリチウムプラズマ曝露装置（TPE）にて870Kで重水素（D）プラズマ曝露を行い、その後昇温脱離分析（TDS）によって、W試料中のD吸蔵量を測定した。その結果、D吸蔵量は900K照射試料が最も大きく、1050Kで減少し、1300Kでは1050Kと同程度であった。