[1M01-05] セラミックス

[1M05] 高速炉の安全性向上のための高次構造制御セラミック制御材の開発

(3)「常陽」照射B₄C制御材の照射後微細評価

*静川 裕太¹、関尾 佳弘¹、井上 利彦¹、前田 宏治¹、吉田 克己² (1. JAEA、2. 東工大)

キーワード：B4C制御材、TEM観察、He生成

高次構造制御B₄C制御材（配向気孔導入材）における核変換Heの放出挙動の推定に資するため、「常陽」で照射したB₄C従来材に対する微細組織観察を実施した。気孔部近傍においてHeバブルの無形成帯が確認され、気孔部がHeの放出パスになる可能性が示唆された。