[3O01-07] Application and Measurement of Quantum Beam

[3O04] Dependence of chemically amplified resist performance on film thickness under electron beam irradiation

*Naoki Maeda¹, Kazumasa Okamoto¹, Yuta Ikari¹, Akihiro Konda¹, Takahiro Kozawa¹, Takao Tamura² (1. Osaka Univ., 2. NuFlare Technology, Inc.)

Keywords:Electron beam irradiation, Polymer thin film, Lithography, Resist

半導体基板の更なる微細加工に対応するために、極端紫外線(EUV)リソグラフィの導入が進み、それと同時に使用されるフォトマスクの微細化、生産性の向上への要求が高まっている。現在主流なマスク製造方法は電子線リソグラフィである。加工材料であるレジストには、100 nm以下の極薄膜が用いられている。しかし、高分子を主成分とするレジストの薄膜化によって、基板及び真空との界面影響が大きくなり、物性変化をもたらすことが予想されるが、放射線応答性についての詳細は明らかになっていない。そこで本研究では、膜厚70 nm以下のレジスト薄膜への電子線照射を行い、その後得られたレジスト像の走査型電子顕微鏡(SEM)による観察と、水晶振動子マイクロバランス(QCM)法を用いた現像時の溶解挙動測定、シミュレーションにより膜厚変化による影響を明らかにした。