[3O01-07] 量子ビーム利用・計測

[3O04] 化学増幅型レジストの電子線照射に対する膜厚依存性

*前田 尚輝¹、岡本 一将¹、井狩 優太¹、誉田 明宏¹、古澤 孝弘¹、田村 貴央² (1. 阪大、2. ニューフレアテクノロジー)

キーワード：電子線照射、高分子薄膜、リソグラフィ、レジスト

半導体基板の更なる微細加工に対応するために、極端紫外線(EUV)リソグラフィの導入が進み、それと同時に使用されるフォトマスクの微細化、生産性の向上への要求が高まっている。現在主流なマスク製造方法は電子線リソグラフィである。加工材料であるレジストには、100 nm以下の極薄膜が用いられている。しかし、高分子を主成分とするレジストの薄膜化によって、基板及び真空との界面影響が大きくなり、物性変化をもたらすことが予想されるが、放射線応答性についての詳細は明らかになっていない。そこで本研究では、膜厚70 nm以下のレジスト薄膜への電子線照射を行い、その後得られたレジスト像の走査型電子顕微鏡(SEM)による観察と、水晶振動子マイクロバランス(QCM)法を用いた現像時の溶解挙動測定、シミュレーションにより膜厚変化による影響を明らかにした。