[2H11-14] 検出器開発2

[2H12] イリジウム/金近接二重層薄膜を用いた超伝導転移端センサの開発

*上土井 猛¹、桜 剛¹、Ryan Smith¹、三津谷 有貴¹、大野 雅史¹、高橋 浩之¹ (1. 東大)

キーワード：超伝導転移端センサ、赤外単一光子、光子数識別、極低温、微細加工

量⼦暗号通信や光量⼦情報処理を実現するためには近⾚外領域において単⼀光⼦を検出

し、光⼦数識別能⼒を有する検出器を実現することが必要不可⽋である。

そこで我々は、優れたエネルギー分解能を有す超伝導転移端センサ (TES: Transition Edge

Sensor)に着⽬し、Au/Ir 近接⼆重層薄膜を⽤いて動作温度を低減することで、単⼀光⼦検

出能⼒の向上を図った。

本研究では、850 nm のパルスレーザーをTES の有感領域に照射し、SQUID を通して増

幅し読み出された電気信号を観測することで光応答特性評価を⾏った。この結果、850 nm

の波⻑において良好な単⼀光⼦検出能⼒を有することが実証された。