[3D01-07] イメージング・基礎物理計測

[3D04] 超微細シリコンピクセルセンサを用いた反跳電子飛跡計測コンプトンイメージングの検証

*上ノ町 水紀¹、Qinghong ZHU²、島添 健次²、高橋 浩之²、眞方 恒陽³、川島 陸斗³、武田 彩希³、鶴 剛¹ (1. 京大、2. 東大、3. 宮大)

キーワード：コンプトンイメージング、反跳電子飛跡計測、SOIピクセルセンサ

コンプトンイメージングはコンプトン散乱原理を用いたガンマ線イメージング手法の一つである。コンプトン散乱エネルギーと散乱光子のエネルギーから得られる情報は角度情報のみであるため、従来のコンプトンイメージングでは放射性核種の位置は円錐面上にしか推定されない。一方、コンプトン散乱の際に反跳する電子飛跡の情報を併せることでガンマ線の到来方向の特定が可能となり、再構成画像の信号対雑音比を向上させることができる。反跳電子飛跡計測のため、我々はピクセルサイズ36 um x 36 umのSOI（Silicon on Insulator）技術を用いたセンサ・回路一体型シリコンピクセルセンサを開発している。本研究では、超微細シリコンピクセルセンサを用いた電子飛跡計測コンプトンイメージングについて検証を行った。