[1G15-17] タングステン／水素同位体滞留挙動

[1G17] タングステン-レニウム合金における照射欠陥生成と水素同位体滞留挙動に及ぼす中性子照射影響

*早川 歩¹、星野 柚香¹、三福寺 旭¹、外山 健²、大矢 恭久¹ (1. 静岡大、2. 東北大)

キーワード：タングステン-レニウム、中性子照射、水素同位体挙動

核融合炉では、重水素とトリチウムによる核融合反応からエネルギーを得る。プラズマ対向壁材候補として、低スパッタ率、高融点、低水素溶解度などの性質を持つタングステン(W)が挙げられている。しかし、Wには炉運転時に燃料の重水素や核融合反応により生成した中性子などの高エネルギー粒子が照射され、照射欠陥が導入される。さらに、Wは中性子との核反応により一部がレニウム(Re)に核変換する。本研究では、中性子照射により照射欠陥を導入したWおよびW-Re合金に対して、陽電子消滅寿命測定法および重水素イオン照射後の昇温脱離法を行い、照射欠陥生成と重水素滞留挙動に及ぼす中性子照射影響を評価した。非照射試料においてW-Reでは、Wと比べて陽電子寿命が短いことから、Reが大きい内在欠陥の生成を抑制したことが考えられる。