[2H01-06] 中性子計測

[2H05] SiC半導体を用いた中性子検出器の計数効率評価

*永井 寛大¹、島添 健次¹、青山 敬²、鈴木 崇仁²、中村 尚司^2,3 (1. 東大、2. 富士電機、3. 東北大)

キーワード：放射線検出器、半導体検出器、中性子、センサ、SiC

Si半導体に比べより高温・高線量下で使用できるSiC半導体を用いた中性子検出器への熱中性子照射実験を行った。バイアス電圧が30V、300VでLiFコンバータを用いた場合に0.05%程の検出効率が得られた。