[Fr-3B] Device-related Characterization

[Fr-3B-04] Nanoscale insights on the origin of the Power MOSFETs breakdown after extremely long high temperature reverse bias stress

*Patrick Fiorenza¹, Mario S. Alessandrino², Beatrice Carbone², Clarice Di Martino², Alfio Russo², Mario Saggio², Carlo Venuto², Edoardo Zanetti², Corrado Bongiorno¹, Filippo Giannazzo¹, Fabrizio Roccaforte¹ (1. Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Catania(Italy), 2. STMicroelectronics, Catania(Italy))