General Session

[G] Semiconductors & Functional Materials

Fri. Sep 13, 2019 9:00 AM - 11:55 AM E (D22 at 1st Flr. Building D for General Education)

座長:田中秀和(大阪大学)、石川史太郎(愛媛大学)

9:00～田中秀和
10:25～石川史太郎
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間５分、基調講演と村上記念賞受賞講演は5～10分、技術開発賞は質疑時間なし）

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9:00 AM - 9:15 AM

[158] 各種フラックスによる2D半導体GaSeの結晶成長とそのSHG特性評価

*WATANABE Katsuya¹, SATO Yohei¹, TANG Chao¹, OSAKI Junya¹, TANABE Tadao², OYAMA Yutaka² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大工)

9:15 AM - 9:30 AM

[159] In溶媒を用いた温度差法とトラベリングヒーター法によるGaSeの溶液成長

*SATO Yohei¹, TANG Chao¹, WATANABE Katsuya¹, OHSAKI Junya¹, YAMAMOTO Takuya³, TANABE Tadao², OYAMA Yutaka² (1. 東北大工(学生)、2. 東北大工、3. 東北大環)

9:30 AM - 9:45 AM

[160] GaAsNBiナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

*Mori Shota¹, Yukimune Mitsuki¹, Fujiwara Ryo¹, Ishikawa Fumitaro² (1. 愛媛大工（院生）、2. 愛媛大工)

9:45 AM - 10:00 AM

[161] AlGaN半導体による波長選択型紫外光検出器の作製と特性評価

*OKUMURA Takahiro¹, TOBA Ryuichi³, TANABE Tadao², OHASHI Takahiro³, OYAMA Yutaka² (1. 東北大工(院生)、2. 東北大工、3. 東北大環)

10:00 AM - 10:15 AM

[162] 非金属表面における層状半導体MoS₂の摩擦誘起成膜

*OSAKI Junya¹, TADAO Tanabe², OYAMA Yutaka² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大工)

break （10:15 AM - 10:25 AM）

10:25 AM - 10:40 AM

[163] フレキシブル2Dセンサーを用いる金属表面のテラヘルツ非破壊検査

*TANABE Tadao¹, LI Kou³, KAWANO Yukio², OYAMA Yutaka¹ (1. 東北大院工、2. 東工大未来研、3. 東工大未来研（院生）)

10:40 AM - 10:55 AM

[164] マグネシウム添加α-Fe₂O₃のテラヘルツ帯屈折率測定

*ARAKI Wataru¹, TANABE Tadao², ABE Seishi³, OYAMA Yutaka² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大工、3. 電磁研)

10:55 AM - 11:10 AM

[165] Ge_xFe_3-xO₄固溶体の作製と大気中熱処理によるヘテロ構造化

*ABE Seishi¹ (1. 電磁研)

11:10 AM - 11:25 AM

[166] Al₂O₃/TiO₂二層構造を用いたフレキシブル抵抗変化型メモリの抵抗スイッチング特性

*NABATAME Toshihide¹, Oishi Tomoji², Inoue Mari¹, Takahashi Makoto³, Ito Kazuhiro³, Ikeda Noki¹, Ohi Akihiko¹ (1. 物材機構、2. 芝工大、3. 阪大接合研)

11:25 AM - 11:40 AM

[167] 高圧ねじり加工によるMgOの光触媒機能創出

*FUJITA Ikuro¹, Edalati Kaveh³, Wang Qing³, Arita Makoto², Muneto Shinji², Horita Zenji⁴ (1. 九州大工（院生）、2. 九州大工、3. I2CNER、4. 九工大)

11:40 AM - 11:55 AM

[168] Bi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の電気伝導

*TOKUMOTO Yuki¹, HAMASAKI Hiromu², EDAGAWA Keiichi¹ (1. 東大生研、2. 東大生研（院生）)

General Session

[G] Phase change memory & Supercondctors

Fri. Sep 13, 2019 1:00 PM - 3:15 PM E (D22 at 1st Flr. Building D for General Education)

座長:阿部世嗣(公益財団法人電磁材料研究所)、藤原康文(大阪大学)

13:00～阿部世嗣
14:15～藤原康文
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間５分、基調講演と村上記念賞受賞講演は5～10分、技術開発賞は質疑時間なし）

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1:00 PM - 1:30 PM

[169] [奨励賞受賞講演] 相変化メモリ用カルコゲナイド材料の開発

*SAITO Yuta^1,2 (1. 産総研、2. ケンブリッジ大)

1:30 PM - 1:45 PM

[170] 逆抵抗変化型Cr₂Ge₂Te₆相変化材料のメモリ特性

*HATAYAMA Shogo¹, ANDO Daisuke¹, Sutou YuJi¹ (1. 東北大工)

1:45 PM - 2:00 PM

[171] PN Junction Based Self-selective Property in N-doped Cr₂Ge₂Te₆ Phase Change Memory

*SHUANG Yi¹, HATAYAMA Shogo¹, AN Jun-Seop², ANDO Daisuke¹, SONG Yun-Heub², SUTOU Yuji¹ (1. Tohoku Univ.、2. Hanyang Univ.)

2:00 PM - 2:15 PM

[172] MnTe多形体薄膜の相変化

*MORI SHUNSUKE¹, ANDO DAISUKE², SUTOU YUJI² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大工)

2:15 PM - 2:30 PM

[173] 超伝導層に多数のクラックを有する超伝導テープの臨界電流に及ぼす最大クラックのサイズおよびクラック間のサイズ差の影響

*OCHIAI Shojiro¹, OKUDA Hiroshi² (1. 京大ESISM、2. 京大工)

2:30 PM - 2:45 PM

[174] 急熱急冷法Nb3Al超伝導線材の引張り試験時の挙動

*OGURO Hidetoshi¹, Abe Noriaki¹, Mochizuki Sora¹, Murakoshi Yuya¹, Kikuchi Akihiro², Awaji Satoshi³ (1. 東海大工、2. 物材機構、3. 東北大金研)

2:45 PM - 3:00 PM

[175] 異種超伝導線材間の超伝導接続部の組織観察

*TAKEWA Hiroyuki¹, OGURO Hidetoshi¹ (1. 東海大)

3:00 PM - 3:15 PM

[176] Cu-Sn-In三元系合金母材を用いた内部補強Nb₃Sn極細多芯線材の開発

*HISHINUMA Yoshimitsu¹, TANIGUCHI Hiroyasu², KIKUCHI Akihiro³ (1. 核融合科学研究所、2. (株)大阪合金工業所、3. 物質・材料研究機構)

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