2019 Fall Annual(165th) Meeting

Presentation information

General Session

9.Electric/Magnetic Materials » Electric/Electronic/Optical Materials

[G] Semiconductors & Functional Materials

Fri. Sep 13, 2019 9:00 AM - 11:55 AM E (D22 at 1st Flr. Building D for General Education)

座長:田中 秀和(大阪大学)、石川 史太郎(愛媛大学)

9:00 AM - 9:15 AM

[158] 各種フラックスによる2D半導体GaSeの結晶成長とそのSHG特性評価

*WATANABE Katsuya1, SATO Yohei1, TANG Chao1, OSAKI Junya1, TANABE Tadao2, OYAMA Yutaka2 (1. 東北大工(院生)、2. 東北大工)

Keywords:GaSe、フラックス法、SHG

GaSe結晶はTHz波の発生・検出などへの応用が期待される非線形光学結晶である。本研究では、成長速度を高速化し、より大きな膜厚を得ることが期待されるフラックス法によりGaSe結晶を作製し、その結晶性を評価した。

Abstract password authentication.
Password is required to view the abstract. Please enter a password to authenticate.

Password