09:30 〜 09:45
[160] GaAsNBiナノワイヤの分子線エピタキシャル成長
キーワード：半導体
分子線エピタキシー法により作成したGaNAsおよびGaAsNBiを井戸層に有するGaAs系コアマルチシェル型ナノワイヤの成長について報告する.
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講演情報
一般講演
9.電気・磁気 関連材料 » 電気・電子・光関連材料
[G] 半導体・機能性材料
2019年9月13日(金) 09:00 〜 11:55 E会場 (一般教育棟D棟2階D22)
座長:田中 秀和(大阪大学)、石川 史太郎(愛媛大学)