2019 Fall Annual(165th) Meeting

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General Session

9.Electric/Magnetic Materials » Electric/Electronic/Optical Materials

[G] Semiconductors & Functional Materials

Fri. Sep 13, 2019 9:00 AM - 11:55 AM E (D22 at 1st Flr. Building D for General Education)

座長:田中 秀和(大阪大学)、石川 史太郎(愛媛大学)

10:00 AM - 10:15 AM

[162] 非金属表面における層状半導体MoS2の摩擦誘起成膜

*OSAKI Junya1, TADAO Tanabe2, OYAMA Yutaka2 (1. 東北大工(院生)、2. 東北大工)

Keywords:二次元層状半導体、MoS2、MoDTC、摩擦誘起成膜

有機モリブデン系化合物MoDTCは金属同士の接触による摩擦面で反応し二次元層状半導体MoS2薄膜が生成する。この反応を半導体デバイスプロセスに応用することを目的とし、非金属表面でMoS2薄膜生成を行う。

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