2019 Fall Annual(165th) Meeting

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General Session

5.Materials Chemistry » Surface and Interface

[G] Dry Process, Thin- and Thick-Film Production, Surface and Interface Reaction, Surface Analysis

Thu. Sep 12, 2019 1:00 PM - 5:00 PM P (D52 at 5th Flr. Building C for General Education)

座長:竹村 明洋(岡山理科大学)、須藤 祐司(東北大学)、松村 義人(東海大学)、日沼 洋陽(千葉大学)

1:30 PM - 1:45 PM

[411] 大気中簡便酸化による可視光吸収型Ti-Zr系酸化物半導体の開発

*SHUTO Yosuke1, HIMENO Yuta1, MATSUDA Mitsuhiro2, SHIDA Kenji3, MATSUDA Motohide2 (1. 熊大院自然(院生)、2. 熊大院先端科学、3. 熊大工技術)

Keywords:Ti-Zr合金、酸化物半導体、大気中酸化、エネルギーギャップ

エネルギー問題や環境問題の改善のため、可視光吸収可能なエネルギーギャップを持つ材料の開発が注目されている。Ti-Zr合金を大気中簡便酸化する事で黒色の酸化物が作製され、長波長領域までの光が吸収された。

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